FF900R12IE4PBOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 900A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26243.22 грн |
| 12+ | 24808.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12IE4PBOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 900A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 900 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF900R12IE4PBOSA1 за ціною від 33491.13 грн до 38162.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FF900R12IE4PBOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38162.16 грн |
| 12+ | 33491.13 грн |