FF900R12IE4VBOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF900R12IE4V-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145f59dd8930994
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 5100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Part Status: Not For New Designs
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+43510.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF900R12IE4VBOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Power - Max: 5100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 900 A, Part Status: Not For New Designs, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Configuration: 2 Independent, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF900R12IE4VBOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF900R12IE4VBOSA1 FF900R12IE4VBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF900R12IE4V-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145f59dd8930994 Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12IE4VBOSA1 Infineon-FF900R12IE4V-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145f59dd8930994
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.