FF900R12IP4BOSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 900A 5100W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 31953.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12IP4BOSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF900R12IP4BOSA2 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 5.1kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.1kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 900A, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF900R12IP4BOSA2 за ціною від 34515.74 грн до 34515.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF900R12IP4BOSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF900R12IP4BOSA2 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 5.1kW euEccn: NLR Verlustleistung: 5.1kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 900A Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF900R12IP4BOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FF900R12IP4BOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FF900R12IP4BOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
товару немає в наявності |
|||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV |
товару немає в наявності |