Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF900R12ME7B11BOSA1

FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN-1840549.pdf

Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon Technologies

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 900A, Pulsed collector current: 1.8kA, Electrical mounting: Press-Fit; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, Case: AG-ECONOD-5, Max. off-state voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 6 шт.

Інші пропозиції FF900R12ME7B11BOSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FF900R12ME7B11BOSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGBT MOD 1200V 900A	на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FF900R12ME7B11BOSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FF900R12ME7B11BOSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FF900R12ME7B11BOSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Electrical mounting: Press-Fit; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Case: AG-ECONOD-5 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 6 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FF900R12ME7B11BOSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Electrical mounting: Press-Fit; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Case: AG-ECONOD-5 Max. off-state voltage: 1.2kV	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.