FF900R12ME7PB11BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 875A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12ME7PB11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 875A, Produktpalette: EconoDUAL 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF900R12ME7PB11BPSA1 за ціною від 13973.17 грн до 17153.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FF900R12ME7PB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V
Description: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15543.78 грн |
| 12+ | 14064.22 грн |
| FF900R12ME7PB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 17153.11 грн |
| 12+ | 16071.57 грн |
| 102+ | 13974.58 грн |
| 1002+ | 13973.87 грн |
| 2502+ | 13973.17 грн |