FF900R12ME7PB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15190.52 грн |
| 12+ | 13744.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12ME7PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 875A, Produktpalette: EconoDUAL 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FF900R12ME7PB11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FF900R12ME7PB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 875A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF900R12ME7PB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FF900R12ME7PB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 875A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 875A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)