FFB5551 onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFB5551 onsemi
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFB5551 за ціною від 12.61 грн до 60.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFB5551 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mWtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FFB5551 | onsemi |
Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 33386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FFB5551 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mWtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FFB5551 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE |
на замовлення 8583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFB5551 | FAIRCHILD |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFB5551 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 24.35 грн |
| FFB5551 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 33386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.20 грн |
| 10+ | 30.45 грн |
| 100+ | 21.17 грн |
| 500+ | 15.51 грн |
| 1000+ | 12.61 грн |
| FFB5551 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 60.67 грн |
| 22+ | 37.61 грн |
| 100+ | 24.35 грн |
| FFB5551 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
на замовлення 8583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




