Продукція > ONSEMI > FFB5551
FFB5551

FFB5551 onsemi

ffb5551-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFB5551 onsemi

Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Інші пропозиції FFB5551 за ціною від 12.61 грн до 37.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFB5551 FFB5551 ON Semiconductor ffb5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.01 грн
6000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 FFB5551 ON Semiconductor ffb5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 FFB5551 onsemi ffb5551-d.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 33386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.20 грн
10+30.45 грн
100+21.17 грн
500+15.51 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 FFB5551 onsemi / Fairchild FFB5551_D-2312884.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
на замовлення 8583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 FFB5551 ONSEMI 2907500.pdf Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 FFB5551 ONSEMI 2907500.pdf Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 FAIRCHILD ffb5551-d.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 ffb5551-d.pdf
FFB5551
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.01 грн
6000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 ffb5551-d.pdf
FFB5551
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 ffb5551-d.pdf
FFB5551
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 33386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.20 грн
10+30.45 грн
100+21.17 грн
500+15.51 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 FFB5551_D-2312884.pdf
FFB5551
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
на замовлення 8583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 2907500.pdf
FFB5551
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 2907500.pdf
FFB5551
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFB5551 ffb5551-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.