FFP08S60SNTU ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFP08S60SNTU ON Semiconductor / Fairchild
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 32 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Інші пропозиції FFP08S60SNTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FFP08S60SNTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching Si 600V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FFP08S60SNTU | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |