FFSB0465A onsemi
Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 650 V, 4 A, D2PAK
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.19 грн |
| 10+ | 182.98 грн |
| 100+ | 128.81 грн |
| 250+ | 121.23 грн |
| 500+ | 114.34 грн |
| 800+ | 97.81 грн |
| 2400+ | 92.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB0465A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.7A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 7.7A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB0465A за ціною від 120.63 грн до 270.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSB0465A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.7A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 7.7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FFSB0465A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 735 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSB0465A |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.44 грн |
| 10+ | 171.48 грн |
| 100+ | 120.63 грн |
| FFSB0465A |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)