FFSB0665A onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 74.08 грн |
| 1600+ | 70.34 грн |
| 2400+ | 67.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB0665A onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 9A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB0665A за ціною від 66.43 грн до 240.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSB0665A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 9A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 12798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FFSB0665A | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FFSB0665A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 605 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
FFSB0665A | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FFSB0665A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
