
FFSB0665A onsemi

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 72.36 грн |
1600+ | 68.71 грн |
2400+ | 66.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB0665A onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 9A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB0665A за ціною від 71.64 грн до 245.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FFSB0665A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 12798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FFSB0665A | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FFSB0665A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 605 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
FFSB0665A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FFSB0665A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FFSB0665A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 9A; reel,tape Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Case: D2PAK Max. off-state voltage: 650V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
FFSB0665A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 9A; reel,tape Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Case: D2PAK Max. off-state voltage: 650V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |