FFSB0665B-F085 onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 111.90 грн |
| 1600+ | 103.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB0665B-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FFSB0665B-F085 за ціною від 95.15 грн до 310.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSB0665B-F085 | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5 |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FFSB0665B-F085 | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FFSB0665B-F085 |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 301.78 грн |
| 10+ | 193.72 грн |
| 100+ | 119.12 грн |
| 500+ | 95.15 грн |
| FFSB0665B-F085 |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.83 грн |
| 10+ | 197.08 грн |
| 100+ | 139.15 грн |