Продукція > ONSEMI > FFSB0665B-F085
FFSB0665B-F085

FFSB0665B-F085 ONSEMI


FFSB0665B-F085-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+213.44 грн
10+ 191.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSB0665B-F085 ONSEMI

Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FFSB0665B-F085 за ціною від 97.47 грн до 249.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085 Виробник : onsemi FFSB0665B_F085_D-2313237.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.89 грн
10+ 193.47 грн
100+ 136.19 грн
250+ 128.85 грн
500+ 120.84 грн
800+ 102.14 грн
2400+ 97.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085 Виробник : onsemi ffsb0665b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.87 грн
10+ 201.67 грн
100+ 163.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085 Виробник : ONSEMI FFSB0665B-F085-D.PDF Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb0665b-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb0665b-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085 Виробник : onsemi ffsb0665b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товар відсутній