FFSB0865A ON Semiconductor
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 154.28 грн |
| 2400+ | 151.71 грн |
| 4800+ | 148.00 грн |
| 5600+ | 138.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB0865A ON Semiconductor
Description: DIODE SIC 650V 15.4A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 15.4A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB0865A за ціною від 116.24 грн до 275.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSB0865A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FFSB0865A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIC 650V 15.4A D2PAK-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15.4A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FFSB0865A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FFSB0865A | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FFSB0865A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIC 650V 15.4A D2PAK-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15.4A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FFSB0865A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 635 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
FFSB0865A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FFSB0865A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FFSB0865A | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |

