FFSB0865A onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15.4A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 124.69 грн |
| 1600+ | 112.48 грн |
| 2400+ | 108.61 грн |
| 4000+ | 101.21 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB0865A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 15.4A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB0865A за ціною від 111.86 грн до 337.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSB0865A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FFSB0865A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FFSB0865A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FFSB0865A | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD |
на замовлення 725 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FFSB0865A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15.4A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 4789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FFSB0865A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 169.67 грн |
| 2400+ | 166.85 грн |
| 4800+ | 162.76 грн |
| 5600+ | 152.54 грн |
| FFSB0865A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 188.04 грн |
| 10+ | 179.97 грн |
| 100+ | 179.19 грн |
| FFSB0865A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 188.04 грн |
| 82+ | 179.97 грн |
| 100+ | 179.19 грн |
| FFSB0865A |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD
SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD
на замовлення 725 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 229.89 грн |
| 10+ | 174.64 грн |
| 100+ | 125.94 грн |
| 500+ | 122.23 грн |
| 800+ | 111.86 грн |
| FFSB0865A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15.4A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15.4A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 337.53 грн |
| 10+ | 215.03 грн |
| 100+ | 152.65 грн |



