Продукція > ONSEMI > FFSB1065B-F085
FFSB1065B-F085

FFSB1065B-F085 onsemi


ffsb1065b-f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+120.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSB1065B-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FFSB1065B-F085 за ціною від 115.22 грн до 342.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.66 грн
10+140.78 грн
100+130.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : onsemi ffsb1065b-f085-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.73 грн
10+190.74 грн
100+137.24 грн
500+129.17 грн
800+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : onsemi ffsb1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.96 грн
10+217.73 грн
100+154.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb1065b-f085-d.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb1065b-f085-d.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.