FFSB1065B onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.22 грн |
| 10+ | 192.49 грн |
| 100+ | 135.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB1065B onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 27A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB1065B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSB1065B | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC GEN1.5 |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FFSB1065B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 25 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSB1065B | ON Semiconductor |
|
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSB1065B |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC GEN1.5
SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC GEN1.5
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSB1065B |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSB1065B |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)