на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.57 грн |
| 10+ | 333.89 грн |
| 100+ | 234.85 грн |
| 250+ | 227.25 грн |
| 500+ | 198.37 грн |
| 800+ | 177.09 грн |
| 2400+ | 167.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB1265A onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 14A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB1265A за ціною від 197.56 грн до 425.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSB1265A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 14A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FFSB1265A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
|
FFSB1265A | Виробник : ON Semiconductor |
SiliconCarbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
FFSB1265A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 14A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |

