
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 388.73 грн |
10+ | 322.41 грн |
100+ | 226.78 грн |
250+ | 219.44 грн |
500+ | 191.55 грн |
800+ | 171.00 грн |
2400+ | 162.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB1265A onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 14A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB1265A за ціною від 200.14 грн до 431.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FFSB1265A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 14A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
FFSB1265A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
FFSB1265A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FFSB1265A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 14A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |