Продукція > ONSEMI > FFSB20120A-F085
FFSB20120A-F085

FFSB20120A-F085 onsemi

ffsb20120a-f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 32A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+667.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSB20120A-F085 onsemi

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 32A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz, Current - Average Rectified (Io): 32A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FFSB20120A-F085 за ціною від 623.52 грн до 1028.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FFSB20120A-F085 FFSB20120A-F085 Виробник : onsemi ffsb20120a-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+966.71 грн
10+ 820.27 грн
100+ 709.44 грн
FFSB20120A-F085 FFSB20120A-F085 Виробник : onsemi FFSB20120A_F085_D-2313263.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A AUTO SIC SBD
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1028.75 грн
10+ 903.15 грн
25+ 777.42 грн
100+ 677.68 грн
250+ 674.38 грн
500+ 662.49 грн
800+ 623.52 грн
FFSB20120A-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb20120a-f085-d.pdf
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)