Продукція > ONSEMI > FFSB20120A-F085
FFSB20120A-F085

FFSB20120A-F085 onsemi

ffsb20120a-f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+531.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSB20120A-F085 onsemi

Description: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz, Current - Average Rectified (Io): 32A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FFSB20120A-F085 за ціною від 526.95 грн до 911.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSB20120A-F085 FFSB20120A-F085 Виробник : onsemi ffsb20120a-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+894.72 грн
10+663.12 грн
100+534.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085 FFSB20120A-F085 Виробник : onsemi ffsb20120a-f085-d.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+911.03 грн
10+711.49 грн
25+615.02 грн
50+613.55 грн
100+526.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb20120a-f085-d.pdf
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085 FFSB20120A-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb20120a-f085-d.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085 Виробник : ONSEMI ffsb20120a-f085-d.pdf FFSB20120A-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.