
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 319.29 грн |
10+ | 235.20 грн |
100+ | 150.81 грн |
500+ | 147.87 грн |
800+ | 133.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB2065B onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 22.8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 22.8A, Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB2065B за ціною від 345.28 грн до 487.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FFSB2065B | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 22.8A Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FFSB2065B | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
FFSB2065B | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
FFSB2065B | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 22.8A Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |