Продукція > ONSEMI > FFSB2065BDN-F085
FFSB2065BDN-F085

FFSB2065BDN-F085 onsemi

ffsb2065bdn-f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+212.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSB2065BDN-F085 onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23.6A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FFSB2065BDN-F085 за ціною від 215.94 грн до 518.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSB2065BDN-F085 FFSB2065BDN-F085 Виробник : onsemi ffsb2065bdn-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.30 грн
10+330.00 грн
100+249.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085 FFSB2065BDN-F085 Виробник : onsemi ffsb2065bdn-f085-d.pdf SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.53 грн
10+350.39 грн
100+230.61 грн
500+215.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085 Виробник : ONN ffsb2065bdn-f085-d.pdf
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085 FFSB2065BDN-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb2065bdn-f085-d.pdf Diode Schottky 650V 23.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB2065BDN-F085 Виробник : ONSEMI ffsb2065bdn-f085-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 23.6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 23.6A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.