Продукція > ONSEMI > FFSB3065B
FFSB3065B

FFSB3065B onsemi

ffsb3065b-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+218.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSB3065B onsemi

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 73A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSB3065B за ціною від 205.95 грн до 543.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSB3065B FFSB3065B onsemi ffsb3065b-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.84 грн
10+362.00 грн
100+229.37 грн
250+227.31 грн
800+205.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B FFSB3065B onsemi ffsb3065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.99 грн
10+355.34 грн
100+259.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B ON Semiconductor ffsb3065b-d.pdf
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B ffsb3065b-d.pdf
FFSB3065B
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+499.84 грн
10+362.00 грн
100+229.37 грн
250+227.31 грн
800+205.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B ffsb3065b-d.pdf
FFSB3065B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+543.99 грн
10+355.34 грн
100+259.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB3065B ffsb3065b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.