
FFSB3065B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 243.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB3065B onsemi
Description: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85419000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 74nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFSB3065B за ціною від 231.92 грн до 577.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FFSB3065B | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85419000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 74nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FFSB3065B | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85419000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 74nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FFSB3065B | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FFSB3065B | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 73A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 8532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FFSB3065B | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FFSB3065B | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |