| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.06 грн |
| 10+ | 156.84 грн |
| 100+ | 108.83 грн |
| 500+ | 92.30 грн |
| 1000+ | 77.84 грн |
| 2500+ | 74.39 грн |
| 5000+ | 72.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSD0465A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 7.6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSD0465A за ціною від 74.43 грн до 241.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSD0465A | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 7.6A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 2441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FFSD0465A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2074 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSD0465A |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.00 грн |
| 10+ | 151.26 грн |
| 100+ | 105.27 грн |
| 500+ | 80.35 грн |
| 1000+ | 74.43 грн |
| FFSD0465A |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)