FFSD0465A onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 243.22 грн |
| 10+ | 152.65 грн |
| 100+ | 106.24 грн |
| 500+ | 81.09 грн |
| 1000+ | 75.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSD0465A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 7.6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSD0465A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSD0465A | onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A SIC SBD |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSD0465A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2074 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |