
FFSD0665B-F085 ONSEMI

Description: ONSEMI - FFSD0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 97.15 грн |
500+ | 67.66 грн |
1000+ | 57.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSD0665B-F085 ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFSD0665B-F085 за ціною від 57.80 грн до 231.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FFSD0665B-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FFSD0665B-F085 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FFSD0665B-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9.1A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
FFSD0665B-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
FFSD0665B-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FFSD0665B-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FFSD0665B-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
FFSD0665B-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9.1A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |