FFSD0665B ON Semiconductor
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 440+ | 28.28 грн |
| 447+ | 27.85 грн |
| 454+ | 27.41 грн |
| 462+ | 26.01 грн |
| 469+ | 23.70 грн |
| 500+ | 22.37 грн |
| 1000+ | 22.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSD0665B ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 9.1A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSD0665B за ціною від 23.57 грн до 270.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSD0665B | Виробник : ON Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSD0665B | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5 |
на замовлення 1624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSD0665B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9.1A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSD0665B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9.1A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FFSD0665B | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FFSD0665B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9.1A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |