Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FFSD0665B
FFSD0665B

FFSD0665B ON Semiconductor

ffsd0665b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
440+32.09 грн
447+31.60 грн
454+31.10 грн
462+29.51 грн
469+26.89 грн
500+25.39 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD0665B ON Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 9.1A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSD0665B за ціною від 24.97 грн до 251.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFSD0665B FFSD0665B ON Semiconductor ffsd0665b-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.30 грн
24+31.60 грн
25+29.99 грн
100+27.33 грн
250+25.81 грн
500+25.39 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B FFSD0665B onsemi ffsd0665b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.68 грн
10+128.10 грн
100+88.08 грн
500+66.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B FFSD0665B onsemi ffsd0665b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.83 грн
10+166.89 грн
100+121.61 грн
500+95.46 грн
1000+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B FFSD0665B onsemi ffsd0665b-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B ON Semiconductor ffsd0665b-d.pdf
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B ffsd0665b-d.pdf
FFSD0665B
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 9.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.30 грн
24+31.60 грн
25+29.99 грн
100+27.33 грн
250+25.81 грн
500+25.39 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B ffsd0665b-d.pdf
FFSD0665B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.68 грн
10+128.10 грн
100+88.08 грн
500+66.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B ffsd0665b-d.pdf
FFSD0665B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.83 грн
10+166.89 грн
100+121.61 грн
500+95.46 грн
1000+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B ffsd0665b-d.pdf
FFSD0665B
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0665B ffsd0665b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.