FFSD08120A onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 184.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSD08120A onsemi
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 55nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFSD08120A за ціною від 190.72 грн до 451.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSD08120A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSD08120A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSD08120A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSD08120A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSD08120A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSD08120A | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSD08120A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 22.5A Supplier Device Package: TO-252AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 7633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FFSD08120A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FFSD08120A | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FFSD08120A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FFSD08120A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22.5A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 22.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.75V Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |