Продукція > ONSEMI > FFSD08120A
FFSD08120A

FFSD08120A onsemi

ffsd08120a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+180.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD08120A onsemi

Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 55nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції FFSD08120A за ціною від 192.25 грн до 537.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFSD08120A FFSD08120A ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+254.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.97 грн
10+341.46 грн
25+311.42 грн
100+272.63 грн
250+251.15 грн
500+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+414.97 грн
43+341.46 грн
47+311.42 грн
100+272.63 грн
250+251.15 грн
500+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A onsemi ffsd08120a-d.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.85 грн
10+314.43 грн
50+248.95 грн
100+213.85 грн
500+199.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A onsemi ffsd08120a-d.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+537.43 грн
10+323.12 грн
100+224.78 грн
500+209.25 грн
2500+192.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A ONSEMI ffsd08120a-d.pdf Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A ONSEMI ffsd08120a-d.pdf Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+254.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+414.97 грн
10+341.46 грн
25+311.42 грн
100+272.63 грн
250+251.15 грн
500+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+414.97 грн
43+341.46 грн
47+311.42 грн
100+272.63 грн
250+251.15 грн
500+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.85 грн
10+314.43 грн
50+248.95 грн
100+213.85 грн
500+199.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+537.43 грн
10+323.12 грн
100+224.78 грн
500+209.25 грн
2500+192.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.