Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FFSD08120A
FFSD08120A

FFSD08120A ON Semiconductor

ffsd08120a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+224.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD08120A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 55nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FFSD08120A за ціною від 195.72 грн до 475.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSD08120A FFSD08120A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+247.57 грн
500+210.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A Виробник : ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+251.65 грн
52+243.88 грн
100+231.43 грн
250+210.81 грн
500+199.05 грн
1000+195.72 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A Виробник : ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+269.63 грн
10+265.47 грн
25+261.30 грн
100+247.96 грн
250+225.87 грн
500+213.27 грн
1000+209.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+297.26 грн
10+267.09 грн
100+247.57 грн
500+210.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A Виробник : onsemi FFSD08120A-D.PDF SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.58 грн
10+292.91 грн
100+219.90 грн
1000+211.99 грн
2500+205.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A Виробник : onsemi ffsd08120a-d.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.75 грн
10+308.58 грн
100+225.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A Виробник : ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A Виробник : ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A Виробник : ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A Виробник : onsemi ffsd08120a-d.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.