Технічний опис FFSD08120A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 55nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FFSD08120A за ціною від 231.92 грн до 406.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSD08120A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FFSD08120A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FFSD08120A | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD |
на замовлення 3629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FFSD08120A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 55nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FFSD08120A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 55nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FFSD08120A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSD08120A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 406.80 грн |
| 10+ | 334.74 грн |
| 25+ | 305.29 грн |
| 100+ | 267.26 грн |
| 250+ | 246.20 грн |
| 500+ | 231.92 грн |
| FFSD08120A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 406.80 грн |
| 43+ | 334.74 грн |
| 47+ | 305.29 грн |
| 100+ | 267.26 грн |
| 250+ | 246.20 грн |
| 500+ | 231.92 грн |
| FFSD08120A |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSD08120A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSD08120A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSD08120A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




