Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FFSD08120A
FFSD08120A

FFSD08120A ON Semiconductor

ffsd08120a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+157.40 грн
10+154.95 грн
25+152.60 грн
100+144.79 грн
250+131.88 грн
500+124.51 грн
1000+122.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD08120A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 55nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції FFSD08120A за ціною від 122.41 грн до 485.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFSD08120A FFSD08120A ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.40 грн
92+154.95 грн
93+152.60 грн
100+144.79 грн
250+131.88 грн
500+124.51 грн
1000+122.41 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A onsemi ffsd08120a-d.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+180.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+249.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A onsemi ffsd08120a-d.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.66 грн
10+314.80 грн
100+228.13 грн
500+199.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A ONSEMI ONSM-S-A0017607160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A onsemi ffsd08120a-d.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A ONSEMI ONSM-S-A0017607160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+157.40 грн
92+154.95 грн
93+152.60 грн
100+144.79 грн
250+131.88 грн
500+124.51 грн
1000+122.41 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+180.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+249.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.66 грн
10+314.80 грн
100+228.13 грн
500+199.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ONSM-S-A0017607160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FFSD08120A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ONSM-S-A0017607160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FFSD08120A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.