FFSD08120A onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 185.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSD08120A onsemi
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 22.5A, Supplier Device Package: TO-252AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції FFSD08120A за ціною від 170.24 грн до 393.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSD08120A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSD08120A | Виробник : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD |
на замовлення 3335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSD08120A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 22.5A Supplier Device Package: TO-252AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 12179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSD08120A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FFSD08120A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FFSD08120A | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |