Продукція > ONSEMI > FFSD08120A

FFSD08120A onsemi


ffsd08120a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+174.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD08120A onsemi

Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 22.5A, Supplier Device Package: TO-252AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції FFSD08120A за ціною від 180.47 грн до 490.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSD08120A FFSD08120A onsemi ffsd08120a-d.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.37 грн
10+304.90 грн
100+220.94 грн
500+193.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A onsemi ffsd08120a-d.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.20 грн
10+324.77 грн
100+205.26 грн
500+191.49 грн
1000+180.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ON Semiconductor ffsd08120a-d.pdf
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+470.37 грн
10+304.90 грн
100+220.94 грн
500+193.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+490.20 грн
10+324.77 грн
100+205.26 грн
500+191.49 грн
1000+180.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.