Продукція > ONSEMI > FFSD0865B-F085
FFSD0865B-F085

FFSD0865B-F085 onsemi

ffsd0865b-f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+98.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD0865B-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FFSD0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FFSD0865B-F085 за ціною від 83.47 грн до 202.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSD0865B-F085 FFSD0865B-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSD0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+132.05 грн
500+106.52 грн
1000+83.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085 FFSD0865B-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSD0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.58 грн
10+149.38 грн
100+132.05 грн
500+106.52 грн
1000+83.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085 FFSD0865B-F085 Виробник : onsemi FFSD0865B_F085_D-1658947.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.23 грн
10+150.59 грн
100+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085 FFSD0865B-F085 Виробник : onsemi ffsd0865b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.14 грн
10+163.54 грн
100+132.30 грн
500+110.36 грн
1000+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsd0865b-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 11.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085 FFSD0865B-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsd0865b-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 11.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085 FFSD0865B-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsd0865b-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 11.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B-F085 Виробник : ONSEMI ffsd0865b-f085-d.pdf FFSD0865B-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.