Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FFSD0865B
FFSD0865B

FFSD0865B ON Semiconductor

ffsd0865b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+52.84 грн
25+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD0865B ON Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 11.6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSD0865B за ціною від 77.74 грн до 308.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFSD0865B FFSD0865B onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+171.70 грн
500+154.06 грн
1000+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.70 грн
10+156.34 грн
100+108.78 грн
500+83.01 грн
1000+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.92 грн
10+196.11 грн
100+138.20 грн
500+106.51 грн
1000+99.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B onsemi ffsd0865b-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B ONSEMI 3772067.pdf Description: ONSEMI - FFSD0865B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 8A, TO-252
tariffCode: 0
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+101.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+171.70 грн
500+154.06 грн
1000+142.30 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.70 грн
10+156.34 грн
100+108.78 грн
500+83.01 грн
1000+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.92 грн
10+196.11 грн
100+138.20 грн
500+106.51 грн
1000+99.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B 3772067.pdf
FFSD0865B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD0865B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 8A, TO-252
tariffCode: 0
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.