Продукція > ONSEMI > FFSD0865B
FFSD0865B

FFSD0865B onsemi

ffsd0865b-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD0865B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 11.6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSD0865B за ціною від 73.70 грн до 296.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSD0865B FFSD0865B onsemi ffsd0865b-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.28 грн
10+135.45 грн
100+90.92 грн
500+79.21 грн
1000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.45 грн
10+150.21 грн
100+104.51 грн
500+79.75 грн
1000+78.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.79 грн
10+188.42 грн
100+132.78 грн
500+102.33 грн
1000+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+195.28 грн
10+135.45 грн
100+90.92 грн
500+79.21 грн
1000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+239.45 грн
10+150.21 грн
100+104.51 грн
500+79.75 грн
1000+78.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
FFSD0865B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+296.79 грн
10+188.42 грн
100+132.78 грн
500+102.33 грн
1000+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B ffsd0865b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.