Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FFSD0865B
FFSD0865B

FFSD0865B ON Semiconductor

ffsd0865b-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+116.32 грн
10+109.82 грн
25+108.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD0865B ON Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 11.6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSD0865B за ціною від 78.88 грн до 231.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : ONSEMI ffsd0865b-d.pdf Description: ONSEMI - FFSD0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.88 грн
500+103.09 грн
2500+85.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+125.26 грн
104+118.27 грн
105+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : onsemi ffsd0865b-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.16 грн
10+128.36 грн
100+91.53 грн
500+82.60 грн
1000+78.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : ONSEMI ffsd0865b-d.pdf Description: ONSEMI - FFSD0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.47 грн
10+148.59 грн
100+121.88 грн
500+103.09 грн
2500+85.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.58 грн
10+153.32 грн
100+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.02 грн
10+186.81 грн
100+151.12 грн
500+126.06 грн
1000+107.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B Виробник : ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B Виробник : ONSEMI ffsd0865b-d.pdf FFSD0865B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.