Продукція > ONSEMI > FFSD0865B
FFSD0865B

FFSD0865B ONSEMI

ffsd0865b-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSD0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+109.07 грн
500+ 92.26 грн
2500+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD0865B ONSEMI

Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 11.6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSD0865B за ціною від 69.26 грн до 204.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+111.27 грн
10+ 105.06 грн
25+ 103.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
98+119.83 грн
104+ 113.14 грн
105+ 111.97 грн
Мінімальне замовлення: 98
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : onsemi FFSD0865B_D-2313019.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.39 грн
10+ 114.87 грн
100+ 87.9 грн
500+ 75.25 грн
2500+ 71.26 грн
5000+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : ONSEMI ffsd0865b-d.pdf Description: ONSEMI - FFSD0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+156.13 грн
10+ 132.97 грн
100+ 109.07 грн
500+ 92.26 грн
2500+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.29 грн
10+ 135.89 грн
100+ 108.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.58 грн
10+ 165.51 грн
100+ 133.92 грн
500+ 111.71 грн
1000+ 95.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
FFSD0865B Виробник : ON Semiconductor ffsd0865b-d.pdf
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FFSD0865B FFSD0865B Виробник : onsemi ffsd0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товар відсутній