FFSD10120A onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 548.75 грн |
| 10+ | 356.30 грн |
| 100+ | 259.24 грн |
| 500+ | 204.47 грн |
| 1000+ | 203.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSD10120A onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz, Supplier Device Package: TO-252AA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції FFSD10120A за ціною від 391.79 грн до 633.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSD10120A | Виробник : onsemi / Fairchild |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FFSD10120A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
FFSD10120A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Supplier Device Package: TO-252AA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FFSD10120A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 22A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.75V Kind of package: reel; tape Technology: SiC |
товару немає в наявності |