Продукція > ONSEMI > FFSD1065A
FFSD1065A

FFSD1065A onsemi

ffsd1065a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+105.66 грн
5000+100.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD1065A onsemi

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 18A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSD1065A за ціною від 107.69 грн до 319.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSD1065A FFSD1065A onsemi ffsd1065a-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.88 грн
10+202.44 грн
100+124.95 грн
500+107.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065A FFSD1065A onsemi ffsd1065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 88751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.97 грн
10+203.50 грн
100+144.08 грн
500+115.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065A ONN ffsd1065a-d.pdf
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065A ffsd1065a-d.pdf
FFSD1065A
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+310.88 грн
10+202.44 грн
100+124.95 грн
500+107.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065A ffsd1065a-d.pdf
FFSD1065A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 88751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+319.97 грн
10+203.50 грн
100+144.08 грн
500+115.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065A ffsd1065a-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.