FFSH10120A-F085 ON Semiconductor
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 17A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 68+ | 519.79 грн |
| 100+ | 493.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH10120A-F085 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FFSH10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 62nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFSH10120A-F085 за ціною від 283.20 грн до 600.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH10120A-F085 | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 17A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FFSH10120A-F085 | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V 10A AUTO SIC SBD |
на замовлення 3447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
FFSH10120A-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 62nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FFSH10120A-F085 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH10120A-F085 |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 600.63 грн |
| 30+ | 359.16 грн |
| 120+ | 309.09 грн |
| 510+ | 283.20 грн |
| FFSH10120A-F085 |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V 10A AUTO SIC SBD
SiC Schottky Diodes 1200V 10A AUTO SIC SBD
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSH10120A-F085 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSH10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSH10120A-F085 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)