Продукція > ONSEMI > FFSH1065B-F155
FFSH1065B-F155

FFSH1065B-F155 onsemi


ffsh1065b-f155-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.5A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.88 грн
10+133.27 грн
450+75.37 грн
900+65.28 грн
1350+62.50 грн
2250+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSH1065B-F155 onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 11.5A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSH1065B-F155 за ціною від 62.03 грн до 224.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSH1065B-F155 FFSH1065B-F155 Виробник : onsemi ffsh1065b-f155-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD GEN 1.5
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.23 грн
10+143.62 грн
120+83.95 грн
510+70.77 грн
1020+66.26 грн
2520+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.