FFSH1065B-F155 onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.5A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.26 грн |
| 10+ | 135.38 грн |
| 450+ | 76.56 грн |
| 900+ | 66.31 грн |
| 1350+ | 63.49 грн |
| 2250+ | 60.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH1065B-F155 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 11.5A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSH1065B-F155 за ціною від 63.01 грн до 227.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH1065B-F155 | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD GEN 1.5 |
на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FFSH1065B-F155 |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD GEN 1.5
SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD GEN 1.5
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.78 грн |
| 10+ | 145.90 грн |
| 120+ | 85.28 грн |
| 510+ | 71.89 грн |
| 1020+ | 67.31 грн |
| 2520+ | 63.01 грн |