FFSH1265BDN-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 246.76 грн |
| 10+ | 182.39 грн |
| 100+ | 179.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH1265BDN-F085 ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFSH1265BDN-F085 за ціною від 213.80 грн до 357.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH1265BDN-F085 | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 7.2A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FFSH1265BDN-F085 | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD GEN1.5 |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FFSH1265BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 14.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FFSH1265BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FFSH1265BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FFSH1265BDN-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 14.4A; TO247-3; tube Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. off-state voltage: 650V Load current: 14.4A Semiconductor structure: common cathode; double кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FFSH1265BDN-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 14.4A; TO247-3; tube Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. off-state voltage: 650V Load current: 14.4A Semiconductor structure: common cathode; double |
товару немає в наявності |