FFSH1665A

FFSH1665A onsemi


ffsh1665a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 8925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+266.56 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSH1665A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSH1665A за ціною від 236.32 грн до 465.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSH1665A FFSH1665A Виробник : onsemi FFSH1665A_D-2313132.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A SIC SBD
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.79 грн
10+400.90 грн
100+319.25 грн
250+277.42 грн
450+275.95 грн
900+236.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1665A Виробник : ON Semiconductor ffsh1665a-d.pdf
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1665A FFSH1665A Виробник : onsemi ffsh1665a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.