на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 970.26 грн |
| 10+ | 908.27 грн |
| 30+ | 734.01 грн |
| 60+ | 716.07 грн |
| 120+ | 701.46 грн |
| 270+ | 690.83 грн |
| 510+ | 660.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH20120A-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSH20120A-F085 за ціною від 654.8 грн до 1049.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH20120A-F085 | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|