FFSH20120A-F085 onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH20120A-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSH20120A-F085 за ціною від 504.66 грн до 1072.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH20120A-F085 | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FFSH20120A-F085 |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
SiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1072.27 грн |
| 10+ | 634.66 грн |
| 120+ | 504.66 грн |