на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 644.58 грн |
| 30+ | 574.46 грн |
| 60+ | 498.79 грн |
| 120+ | 481.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH20120ADN-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSH20120ADN-F085 за ціною від 773.32 грн до 1239.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH20120ADN-F085 | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FFSH20120ADN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 356 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FFSH20120ADN-F085 | Виробник : ONSEMI |
FFSH20120ADN-F085 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |