FFSH20120ADN-F155 onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 546.63 грн |
| 10+ | 466.55 грн |
| 120+ | 395.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH20120ADN-F155 onsemi / Fairchild
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції FFSH20120ADN-F155 за ціною від 500.28 грн до 861.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH20120ADN-F155 | onsemi |
 Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FFSH20120ADN-F155 | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 20A |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FFSH20120ADN-F155 |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 771.42 грн |
| 10+ | 654.87 грн |
| 100+ | 566.39 грн |
| FFSH20120ADN-F155 |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 20A
SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 20A
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 861.91 грн |
| 10+ | 500.28 грн |