FFSH2065A ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 543.31 грн |
| 30+ | 403.70 грн |
| 120+ | 365.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH2065A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FFSH2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 64nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FFSH2065A за ціною від 268.61 грн до 564.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSH2065A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 25A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FFSH2065A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FFSH2065A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 64nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FFSH2065A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH2065A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 25A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Diode Schottky SiC 650V 25A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 543.31 грн |
| 35+ | 403.70 грн |
| 120+ | 365.88 грн |
| FFSH2065A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 564.65 грн |
| 30+ | 318.19 грн |
| 120+ | 268.61 грн |
| FFSH2065A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 64nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSH2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 64nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSH2065A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





