на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 526.42 грн |
10+ | 435.85 грн |
100+ | 351.83 грн |
250+ | 343.88 грн |
450+ | 318.04 грн |
900+ | 282.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH2065ADN-F155 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 13A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSH2065ADN-F155 за ціною від 344.97 грн до 568.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FFSH2065ADN-F155 | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FFSH2065ADN-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
FFSH2065ADN-F155 | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |