| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 554.78 грн |
| 10+ | 459.33 грн |
| 100+ | 370.78 грн |
| 250+ | 362.41 грн |
| 450+ | 335.17 грн |
| 900+ | 297.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH2065ADN-F155 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 13A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSH2065ADN-F155 за ціною від 283.17 грн до 626.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH2065ADN-F155 | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FFSH2065ADN-F155 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH2065ADN-F155 |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 626.09 грн |
| 10+ | 414.39 грн |
| 450+ | 283.17 грн |
| FFSH2065ADN-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)