FFSH2065BDN-F085 ON Semiconductor
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 265.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH2065BDN-F085 ON Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSH2065BDN-F085 за ціною від 300.36 грн до 719.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 84287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: Y-EX Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY SIC 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FFSH2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 4911 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FFSH2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |