Продукція > ONSEMI > FFSH2065BDN
FFSH2065BDN

FFSH2065BDN onsemi


ffsh2065bdn-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN 1.5
на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.78 грн
10+229.32 грн
120+145.02 грн
510+126.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSH2065BDN onsemi

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSH2065BDN за ціною від 108.56 грн до 360.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSH2065BDN FFSH2065BDN Виробник : onsemi ffsh2065bdn-d.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 33768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.03 грн
10+230.23 грн
450+137.35 грн
900+120.16 грн
1350+115.71 грн
2250+110.72 грн
5400+108.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.