FFSH2065BDN onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 354.89 грн |
| 10+ | 226.94 грн |
| 450+ | 135.39 грн |
| 900+ | 118.45 грн |
| 1350+ | 114.06 грн |
| 2250+ | 109.14 грн |
| 5400+ | 107.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH2065BDN onsemi
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSH2065BDN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH2065BDN | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN 1.5 |
на замовлення 807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH2065BDN |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN 1.5
SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN 1.5
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)