| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1222.29 грн |
| 10+ | 1062.24 грн |
| 25+ | 894.76 грн |
| 50+ | 878.23 грн |
| 100+ | 790.06 грн |
| 250+ | 768.02 грн |
| 450+ | 709.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH30120A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 46A, Capacitance @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FFSH30120A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FFSH30120A | ON Semiconductor |
 |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH30120A |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)