на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1302.32 грн |
| 10+ | 1131.80 грн |
| 25+ | 953.35 грн |
| 50+ | 935.73 грн |
| 100+ | 841.79 грн |
| 250+ | 818.31 грн |
| 450+ | 755.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH30120A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 46A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції FFSH30120A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FFSH30120A | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FFSH30120A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 46A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |