Технічний опис FFSH3065ADN-F155 ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSH3065ADN-F155 за ціною від 513.84 грн до 767.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSH3065ADN-F155 | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FFSH3065ADN-F155 | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FFSH3065ADN-F155 | onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A SIC SBD |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| FFSH3065ADN-F155 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH3065ADN-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Diode Schottky SiC 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 564.95 грн |
| FFSH3065ADN-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 767.99 грн |
| 10+ | 513.84 грн |
| FFSH3065ADN-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A SIC SBD
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A SIC SBD
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSH3065ADN-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





