на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 659.30 грн |
| 10+ | 595.02 грн |
| 100+ | 500.53 грн |
| 900+ | 472.64 грн |
| 2700+ | 406.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH3065ADN-F155 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSH3065ADN-F155 за ціною від 666.79 грн до 808.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH3065ADN-F155 | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FFSH3065ADN-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |