FFSH3065B-F085 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 589.18 грн |
| 100+ | 559.78 грн |
| 500+ | 530.38 грн |
| 1000+ | 483.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH3065B-F085 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FFSH3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 73 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 73nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFSH3065B-F085 за ціною від 286.86 грн до 1073.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSH3065B-F085 | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 37A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FFSH3065B-F085 | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 37A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FFSH3065B-F085 | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 37A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FFSH3065B-F085 | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 37A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FFSH3065B-F085 | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FFSH3065B-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 73 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 73nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FFSH3065B-F085 | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 37A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSH3065B-F085 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH3065B-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 37A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Diode Schottky SiC 650V 37A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 589.18 грн |
| 100+ | 559.78 грн |
| 500+ | 530.38 грн |
| 1000+ | 483.08 грн |
| FFSH3065B-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 738.27 грн |
| 30+ | 421.71 грн |
| 120+ | 358.21 грн |
| 510+ | 292.53 грн |
| 1020+ | 286.86 грн |
| FFSH3065B-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 37A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Diode Schottky SiC 650V 37A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 854.90 грн |
| FFSH3065B-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1073.00 грн |
| 30+ | 632.58 грн |
| 120+ | 544.91 грн |
| 510+ | 466.48 грн |
| FFSH3065B-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD
SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSH3065B-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 73 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 73nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSH3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 73 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 73nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSH3065B-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 37A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Diode Schottky SiC 650V 37A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSH3065B-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





