| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 783.52 грн |
| 10+ | 702.62 грн |
| 25+ | 608.91 грн |
| 50+ | 608.22 грн |
| 100+ | 545.54 грн |
| 250+ | 536.58 грн |
| 450+ | 494.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH4065A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 48A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSH4065A за ціною від 397.63 грн до 1169.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSH4065A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 48A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FFSH4065A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 48A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FFSH4065A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH4065A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 852.40 грн |
| 30+ | 497.20 грн |
| 120+ | 426.30 грн |
| 510+ | 397.63 грн |
| FFSH4065A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1169.34 грн |
| 30+ | 699.00 грн |
| 120+ | 612.58 грн |
| FFSH4065A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



