FFSH4065A ON Semiconductor
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 736.87 грн |
| 100+ | 699.65 грн |
| 500+ | 663.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH4065A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 119nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FFSH4065A за ціною від 435.31 грн до 1127.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSH4065A | Виробник : ON Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSH4065A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSH4065A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSH4065A | Виробник : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 40A SIC SBD |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSH4065A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 48A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSH4065A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 119nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSH4065A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 48A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FFSH4065A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FFSH4065A | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 48A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |