FFSH4065A onsemi


FFSH4065A_D-2313242.pdf
Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 40A SIC SBD
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+783.52 грн
10+702.62 грн
25+608.91 грн
50+608.22 грн
100+545.54 грн
250+536.58 грн
450+494.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSH4065A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 48A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSH4065A за ціною від 397.63 грн до 1169.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSH4065A FFSH4065A onsemi ffsh4065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+852.40 грн
30+497.20 грн
120+426.30 грн
510+397.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065A FFSH4065A onsemi ffsh4065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1169.34 грн
30+699.00 грн
120+612.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065A ON Semiconductor ffsh4065a-d.pdf
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065A ffsh4065a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+852.40 грн
30+497.20 грн
120+426.30 грн
510+397.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065A ffsh4065a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1169.34 грн
30+699.00 грн
120+612.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065A ffsh4065a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.