FFSH4065BDN-F085 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 825.55 грн |
| 100+ | 784.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH4065BDN-F085 ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSH4065BDN-F085 за ціною від 446.52 грн до 891.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSH4065BDN-F085 | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FFSH4065BDN-F085 | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FFSH4065BDN-F085 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH4065BDN-F085 |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 891.56 грн |
| 30+ | 520.60 грн |
| 120+ | 446.52 грн |
| FFSH4065BDN-F085 |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V
SiC Schottky Diodes 650V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSH4065BDN-F085 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)