Продукція > ONSEMI > FFSH50120A
FFSH50120A

FFSH50120A ONSEMI

ffsh50120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH50120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 252nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1538.91 грн
5+1375.78 грн
10+1211.84 грн
50+1069.32 грн
100+938.15 грн
250+888.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSH50120A ONSEMI

Description: ONSEMI - FFSH50120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 252nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FFSH50120A за ціною від 884.43 грн до 1653.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSH50120A FFSH50120A onsemi ffsh50120a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 77A
Capacitance @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.34 грн
30+921.81 грн
120+886.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120A FFSH50120A onsemi ffsh50120a-d.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1653.83 грн
10+1033.73 грн
120+884.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120A ON Semiconductor ffsh50120a-d.pdf
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120A ffsh50120a-d.pdf
FFSH50120A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 77A
Capacitance @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1558.34 грн
30+921.81 грн
120+886.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120A ffsh50120a-d.pdf
FFSH50120A
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1653.83 грн
10+1033.73 грн
120+884.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120A ffsh50120a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.