FFSH50120A ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1339.45 грн |
| 120+ | 1280.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH50120A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FFSH50120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 252nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FFSH50120A за ціною від 894.59 грн до 1589.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSH50120A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FFSH50120A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 77A Capacitance @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
на замовлення 4565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FFSH50120A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FFSH50120A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH50120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 252nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
FFSH50120A | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FFSH50120A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH50120A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1342.74 грн |
| 120+ | 1283.21 грн |
| FFSH50120A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 77A
Capacitance @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 77A
Capacitance @ Vr, F: 2560pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1572.74 грн |
| 30+ | 930.33 грн |
| 120+ | 894.59 грн |
| FFSH50120A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 77A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 1589.95 грн |
| 100+ | 1509.98 грн |
| FFSH50120A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH50120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 252nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FFSH50120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 252nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSH50120A |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD
SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSH50120A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





