| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 871.11 грн |
| 10+ | 810.35 грн |
| 25+ | 657.81 грн |
| 50+ | 649.54 грн |
| 100+ | 606.84 грн |
| 250+ | 599.26 грн |
| 450+ | 559.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH5065A-F155 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io): 60A, Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FFSH5065A-F155 за ціною від 731.08 грн до 996.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSH5065A-F155 | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io): 60A Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FFSH5065A-F155 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSH5065A-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 60A
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 60A
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 996.53 грн |
| 10+ | 845.30 грн |
| 100+ | 731.08 грн |
| FFSH5065A-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



