Продукція > ONSEMI > FFSM0465A
FFSM0465A

FFSM0465A onsemi

ffsm0465a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+93.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSM0465A onsemi

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSM0465A за ціною від 102.16 грн до 294.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFSM0465A FFSM0465A onsemi ffsm0465a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.71 грн
10+186.51 грн
50+144.59 грн
100+123.01 грн
500+102.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465A FFSM0465A onsemi ffsm0465a-d.pdf SiC Schottky Diodes SiC Diode 650V 4A
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465A ffsm0465a-d.pdf
FFSM0465A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.71 грн
10+186.51 грн
50+144.59 грн
100+123.01 грн
500+102.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465A ffsm0465a-d.pdf
FFSM0465A
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SiC Diode 650V 4A
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.