FFSM0665A onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 114.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM0665A onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSM0665A за ціною від 105.88 грн до 328.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSM0665A | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD |
на замовлення 3268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FFSM0665A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 32845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FFSM0665A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| FFSM0665A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PQFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Case: PQFN8x8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FFSM0665A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PQFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Case: PQFN8x8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC |
товару немає в наявності |