| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.99 грн |
| 10+ | 175.06 грн |
| 100+ | 117.10 грн |
| 500+ | 104.01 грн |
| 1000+ | 102.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM0665A onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSM0665A за ціною від 109.91 грн до 308.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSM0665A | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FFSM0665A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSM0665A |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.41 грн |
| 10+ | 195.58 грн |
| 100+ | 138.15 грн |
| 500+ | 109.91 грн |
| FFSM0665A |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)