Продукція > ONSEMI > FFSM0665A
FFSM0665A

FFSM0665A onsemi

ffsm0665a-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.94 грн
10+176.34 грн
100+117.95 грн
500+104.77 грн
1000+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSM0665A onsemi

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSM0665A за ціною від 110.71 грн до 310.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSM0665A FFSM0665A Виробник : onsemi ffsm0665a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.67 грн
10+197.01 грн
100+139.16 грн
500+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665A Виробник : ON Semiconductor ffsm0665a-d.pdf
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665A FFSM0665A Виробник : onsemi ffsm0665a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.