FFSM0665A onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 311.26 грн |
| 10+ | 197.39 грн |
| 100+ | 139.43 грн |
| 500+ | 110.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM0665A onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSM0665A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSM0665A | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD |
на замовлення 3123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSM0665A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |