FFSM0665B onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM0665B onsemi
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 6A, PQFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: PQFN, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Surface Mount, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Single, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4 Pin, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції FFSM0665B за ціною від 87.04 грн до 241.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSM0665B | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9.1A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 203970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FFSM0665B | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 6A PQFM88 |
на замовлення 3294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
FFSM0665B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 6A, PQFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PQFN Kapazitive Gesamtladung: 16nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A Anzahl der Pins: 4 Pin Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 215 шт В кошику од. на суму грн. |
| FFSM0665B |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 203970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.23 грн |
| 10+ | 141.54 грн |
| 100+ | 111.88 грн |
| 500+ | 88.34 грн |
| 1000+ | 87.04 грн |
| FFSM0665B |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 6A PQFM88
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 6A PQFM88
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSM0665B |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 6A, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 6A, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)