FFSM0665B onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM0665B onsemi
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, PQFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: PQFN, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FFSM0665B за ціною від 78.24 грн до 247.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSM0665B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, PQFNtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PQFN Kapazitive Gesamtladung: 16nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FFSM0665B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, PQFNtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PQFN Kapazitive Gesamtladung: 16nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FFSM0665B | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN15 650V 6A PQFM88 |
на замовлення 3294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FFSM0665B | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9.1A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 203970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FFSM0665B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 95.39 грн |
| 500+ | 87.81 грн |
| 1500+ | 80.35 грн |
| FFSM0665B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSM0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 179.26 грн |
| 50+ | 119.23 грн |
| 100+ | 95.39 грн |
| 500+ | 87.81 грн |
| 1500+ | 80.35 грн |
| FFSM0665B |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN15 650V 6A PQFM88
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN15 650V 6A PQFM88
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.46 грн |
| 10+ | 122.39 грн |
| 100+ | 93.74 грн |
| 500+ | 89.51 грн |
| 1000+ | 84.58 грн |
| 3000+ | 80.35 грн |
| 6000+ | 78.24 грн |
| FFSM0665B |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 203970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.39 грн |
| 10+ | 145.15 грн |
| 100+ | 114.73 грн |
| 500+ | 90.60 грн |
| 1000+ | 89.26 грн |



