FFSM0865A onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 176.64 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM0865A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 9.6A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V. 
Інші пропозиції FFSM0865A за ціною від 164.56 грн до 394.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        FFSM0865A | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 9.6A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V  | 
        
                             на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
| 
             | 
        FFSM0865A | Виробник : onsemi | 
            
                         Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD         | 
        
                             на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
| FFSM0865A | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                                  | 
        
                             на замовлення 2785 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |