Продукція > ONSEMI > FFSM0865B
FFSM0865B

FFSM0865B onsemi

ffsm0865b-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+103.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSM0865B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 11.6A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSM0865B за ціною від 70.26 грн до 244.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSM0865B FFSM0865B onsemi ffsm0865b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.10 грн
10+172.30 грн
100+139.41 грн
500+116.29 грн
1000+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865B FFSM0865B onsemi FFSM0865B-D.PDF SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN15 650V 8A PQFM88
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.30 грн
10+152.88 грн
100+92.99 грн
500+83.35 грн
1000+75.77 грн
3000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865B ON Semiconductor ffsm0865b-d.pdf
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865B ffsm0865b-d.pdf
FFSM0865B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.6A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+213.10 грн
10+172.30 грн
100+139.41 грн
500+116.29 грн
1000+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865B FFSM0865B-D.PDF
FFSM0865B
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN15 650V 8A PQFM88
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+244.30 грн
10+152.88 грн
100+92.99 грн
500+83.35 грн
1000+75.77 грн
3000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0865B ffsm0865b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.