FFSM0865B ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PQFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 77.98 грн |
| 1000+ | 61.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM0865B ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: PQFN, Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FFSM0865B за ціною від 61.25 грн до 221.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSM0865B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 11.6A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FFSM0865B | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, PQFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PQFN Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FFSM0865B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 11.6A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FFSM0865B | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, Power88 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, Power88 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FFSM0865B | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |