Продукція > ONSEMI > FFSM1065A
FFSM1065A

FFSM1065A onsemi

ffsm1065a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.26 грн
10+245.79 грн
100+175.87 грн
500+147.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSM1065A onsemi

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 11A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSM1065A за ціною від 137.38 грн до 402.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSM1065A FFSM1065A Виробник : onsemi ffsm1065a-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.31 грн
10+264.11 грн
100+150.56 грн
500+137.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065A Виробник : ON Semiconductor ffsm1065a-d.pdf
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065A FFSM1065A Виробник : onsemi ffsm1065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.